FDFMA2N028Z
3650
6MicroFET2x2/24+
假一罚十,原装现货,支持含税
FDFMA2N028Z
30000
6MicroFET2x2/23+
全新原装,假一罚十
FDFMA2N028Z
6000
Microfet 2x2/-
只供原装,欢迎咨询
FDFMA2N028Z
9210
MICROFET2/23+
只做原装更多数量在途订单
FDFMA2N028Z
3000
-/-
-
FDFMA2N028Z
68900
DFN6/-
原包原标签100%进口原装常备现货
FDFMA2N028Z
6607
-/23+
现货假一罚万只做原厂原装现货
FDFMA2N028Z
25000
6MICROFET/22+
只有原装原装,支持BOM配单
FDFMA2N028Z
8620
MicroFET/09+
原装,公司现货
FDFMA2N028Z
65286
-/21+
全新原装现货,长期供应,免费送样
FDFMA2N028Z
360000
2021+/DFN20206
原装正品优势,现货供应价优支持配单
FDFMA2N028Z
6000
6MICROFET/21+
是终端可以免费供样,支持BOM配单
FDFMA2N028Z
7259
NA//23+
优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票
FDFMA2N028Z
5563
DFN/0708+
只做原装,也只有原装
FDFMA2N028Z
5563
DFN/0708+
优势好价 靠谱原装 终端优选供应商
FDFMA2N028Z
540030
DFN20206/22+
十年配单,只做原装
FDFMA2N028Z
22100
6MicroFET2x2/23+
主营ON,全系列供应
FDFMA2N028Z
16625
WDFN6/21+
原厂原装现货
FDFMA2N028Z
62578
-/2021+
主营品牌全新原装可供更多
道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir),能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合,这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装,能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。. 供货:现货 交货期:收到订单后12周内 来源:小草
mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir),能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合,这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装,能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。. 供货: 现货 交货期: 收到订单后12周内
mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir),能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合,这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装,能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。. 供货: 现货交货期: 收到订单后12周内
ch mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir),能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合,这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装,能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。
wertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir),能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合,这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装,能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。 供货:现货 交货期:收到订单后12周内
ench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir),能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合,这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装,能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。 供货:现货 交货期:收到订单后12周内