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飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出业界封装最小的p沟道mosfet器件fdz191p,可为各种低压(<20v)便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括:移动电话、数码相机、mp3播放器、医疗设备,以及其它智能化,小型化的便携式产品。 飞兆半导体的fdz191p器件的性能优于市场上大部分专为低压应用而设计的功率mosfet。fdz191p作为powertrench mosfet,采用了飞兆半导体最新的晶圆级芯片尺寸封装(wl-csp),因而具有出色的热阻(83℃/w)和低rds(on)(4.5v时为67mω)。fdz191p具有超小型(1.0mmx1.5mmx0.65mm)封装,与同类器件相比能节省至少30%的线路板空间,而且最大的封装高度仅为0.65mm,使其非常适用于高密度产品和超薄型消费电子产品的设计。fdz191p还能够工作于1.5v的低电压,这在功率管理设计中是一个重要的特性。此外,fdz191p还满足全球电子产品应用要求的所有"绿色"和rohs标准。 飞兆半导体低压功率产品部市务
飞兆半导体公司 (fairchild) 推出业界封装最小的p沟道mosfet器件fdz191p,可为各种低压 (<20v) 便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括:移动电话、数码相机、mp3播放器、医疗设备,以及其它智能化,小型化的便携式产品。 飞兆半导体的fdz191p器件的性能优于市场上大部分专为低压应用而设计的功率mosfet。fdz191p作为powertrench® mosfet,采用了飞兆半导体最新的晶圆级芯片尺寸封装 (wl-csp),因而具有出色的热阻 (83℃/w) 和低rds(on) (4.5v时为67mω)。fdz191p具有超小型 (1.0mm x 1.5mm x 0.65mm) 封装,与同类器件相比能节省至少30% 的线路板空间,而且最大的封装高度仅为0.65mm,使其非常适用于高密度产品和超薄型消费电子产品的设计。fdz191p还能够工作于1.5v的低电压,这在功率管理设计中是一个重要的特性。此外,fdz191p还满足全球电子产品应用要求的所有“绿色”和rohs标准。 飞兆半导体低压功
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出业界封装最小的p沟道mosfet器件fdz191p,可为各种低压(<20v)便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括:移动电话、数码相机、mp3播放器、医疗设备,以及其它智能化,小型化的便携式产品。 飞兆半导体的fdz191p器件的性能优于市场上大部分专为低压应用而设计的功率mosfet。fdz191p作为powertrench mosfet,采用了飞兆半导体最新的晶圆级芯片尺寸封装(wl-csp),因而具有出色的热阻(83℃/w)和低rds(on)(4.5v时为67mω)。fdz191p具有超小型(1.0mmx1.5mmx0.65mm)封装,与同类器件相比能节省至少30%的线路板空间,而且最大的封装高度仅为0.65mm,使其非常适用于高密度产品和超薄型消费电子产品的设计。fdz191p还能够工作于1.5v的低电压,这在功率管理设计中是一个重要的特性。此外,fdz191p还满足全球电子产品应用要求的所有"绿色"和rohs
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飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出业界封装最小的p沟道mosfet器件fdz191p,可为各种低压 (<20v) 便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括:移动电话、数码相机、mp3播放器、医疗设备,以及其它智能化,小型化的便携式产品。 飞兆半导体的fdz191p器件的性能优于市场上大部分专为低压应用而设计的功率mosfet。fdz191p作为powertrench mosfet,采用了飞兆半导体最新的晶圆级芯片尺寸封装 (wl-csp),因而具有出色的热阻 (83℃/w) 和低rds(on) (4.5v时为67mω)。fdz191p具有超小型 (1.0mm x 1.5mm x 0.65mm) 封装,与同类器件相比能节省至少30% 的线路板空间,而且最大的封装高度仅为0.65mm,使其非常适用于高密度产品和超薄型消费电子产品的设计。fdz191p还能够工作于1.5v的低电压,这在功率管理设计中是一个重要的特性。此外,fdz191p还满足全球电子产品应用要求