8060
TO220F/2235
FAIRCHILD专营价优
5111
TO220FPAC/1J26DX
公司现货库存,可开增值税。
FFPF08H60STU
10000
-/22+
智其伟业-原装 价优 可含税
FFPF08H60S
3500
TO252/22+
假一罚十,增值税含税
FFPF08H60S
-
TO220F/2022+
-
FFPF08H60S
6500
TO220F/23+
只做原装现货
FFPF08H60S
30000
21+/-
原装正品优势,现货供应价优支持配单
FFPF08H60S
20000
DO214AA(SMB)/22+
奥利腾只做原装正品,实单价优可谈
FFPF08H60S
40
TO220/11+
只做原装,也只有原装
FFPF08H60S
22358
TO220F/22+
房间现货,价格优势。
FFPF08H60S
18850
TO220F/19+
专营三极管质量保证
FFPF08H60S
68900
TO220F/-
原包原标签100%进口原装常备现货
FFPF08H60S
29078
-/-
现货十年以上分销商,原装进口件,服务型企业
FFPF08H60S
5000
TO220F/24+
房间现货,诚信经营,提供BOM配单服务
FFPF08H60S
5000
TO220F/22+
一站式配单,只做原装
FFPF08H60S
3000
TO220F/11+
原装正品热卖,价格优势
FFPF08H60S
3180
23+/TO220F
特价原装现货,一站配齐
FFPF08H60S
5000
TO220F/2019+
原装现货配单
FFPF08H60S
6500
TO220F/23+
只做原装现货
rchild semiconductor)推出全新stealth ii和hyperfast ii二极管技术,作为其专为lcd tv开关电源(smps)应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s和ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力(tb/ta>1.3)和极短的反向恢复时间(trr<25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm(连续电流模式)功率因数校正(pfc)设计中改善emi和mosfet开关损耗。同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管,具有很快的反向恢复时间(trr<35ns @ 600v击穿电压)和很低的前向电压降(vf<2.1v),有助于在dcm(不连续电流模式)pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii和hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet及superfet mosfet技术系列相结合,并且相辅相成。这一产品组合提供了完整的解决方案,可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性,并同时降低emi。 stealth ii/
th™ ii 和 hyperfast ii二极管技术,作为其专为lcd tv开关电源 (smps) 应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s 和 ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力 (tb/ta > 1.3) 和极短的反向恢复时间 (trr < 25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm (连续电流模式) 功率因数校正 (pfc) 设计中改善emi 和 mosfet开关损耗。 同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管,具有很快的反向恢复时间 (trr < 35ns @ 600v击穿电压) 和很低的前向电压降(vf < 2.1v),有助于在dcm (不连续电流模式) pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii 和 hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet™ 及 superfet™ mosfet技术系列相结合,并且相辅相成。这一庞大的产品组合提供了完整的解决方案,可以提高lcd tv电源设计的系统效率
) 推出全新stealth ii 和 hyperfast ii二极管技术,作为其专为lcd tv开关电源 (smps) 应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s 和 ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力 (tb/ta > 1.3) 和极短的反向恢复时间 (trr < 25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm (连续电流模式) 功率因数校正 (pfc) 设计中改善emi 和 mosfet开关损耗。同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管,具有很快的反向恢复时间 (trr < 35ns @ 600v击穿电压) 和很低的前向电压降(vf < 2.1v),有助于在dcm (不连续电流模式) pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii 和 hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet 及 superfet mosfet技术系列相结合,并且相辅相成。这一庞大的产品组合提供了完整的解决方案,可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性,并同时降低emi。
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rchild semiconductor)推出全新stealth ii和hyperfast ii二极管技术,作为其专为lcd tv开关电源(smps)应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s和ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力(tb/ta>1.3)和极短的反向恢复时间(trr<25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm(连续电流模式)功率因数校正(pfc)设计中改善emi和mosfet开关损耗。同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管,具有很快的反向恢复时间(trr<35ns @ 600v击穿电压)和很低的前向电压降(vf<2.1v),有助于在dcm(不连续电流模式)pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii和hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet及superfet mosfet技术系列相结合,并且相辅相成。这一产品组合提供了完整的解决方案,可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性,并同时降低emi。 st