IRF6635TRPBF
9600
DirectFET MX/11+
发货7天 假一赔百 更多数量可订海外代购
IRF6635TR1PBF
2000
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保证优势原装现货
IRF6635TRPBF
9800
QFN/23+
原厂原装现货
IRF6635TR1PBF
35000
QFN/2009+
一定原装/香港现货
IRF6635TRPBF
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QFN/17
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IRF6635
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IRF6635
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原装现货特价热卖可提供17%增值税发票
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只做原装,也只有原装
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只做原装现货
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只做原装假一赔十正规渠道订货
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只做原装,提供一站式配单服务
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原装正品,假一罚十
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IRF6635
9000
DirectFET Isometric MX/22+
原厂渠道,现货配单
IRF6635
50000
MOSFET NCH 30V 32A DIRECTFET/2020+
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30000
DIRECTFET MX/23+
全新原装,假一罚十
IRF6635
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公司现货,进口原装热卖
IRF6635
6000
QFN/23+
原装现货 只做原厂原装优势库存 自家库存
IRF6635
6500
QFN/23+
只做原装现货
国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出一款新型的directfet mosfet芯片组。新品可配合ir近期发布的ir2086s全桥总线转换器集成电路,使直流总线转换器达到最高效率。这款芯片组可以提供完善的总线转换器解决方案,在比四分之一砖转换器还要小29%的电路板面积上,实现效率高达97%的336w功率。 全新的irf6646及irf6635适用于隔离式dc-dc转换器总线转换器的固定48v及36v到60v输入桥式电路拓扑、同步降压非隔离式dc-dc电路拓扑、针对移动通信的18v到36v输入正激及推挽式转换器,以及调节式输出隔离式dc-dc应用中的次级同步整流。 业界标准的300w四分之一砖设计往往包含多达10个mosfet(4个初级和6个次级)、1个脉宽调制(pwm)集成电路及2个半桥驱动器集成电路。ir的新芯片组方案则只有6个mosfet(4个初级和2个次级)及1个单独的集成电路,节省功率半导体零件数达46%。 此外,以这种芯片组制成的隔离式总线转换器dc-dc能有效节省多达29%的占板空间,更可提升工作效率1
该款参考设计简化了用于网络、通信和高端服务器应用的48v输入砖和嵌入式电源的开发。irdc2086-330w是一款工作效率高达97%的48v至9.6v(35a)非稳压dc总线转换器,体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外,irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet,其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet,4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet(采用so-8封装的irf7830 80v mosfet)用于偏置开关和次级箝位(2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet)。ir2086s全桥式控制器在高频率(可高达500khz)下工作,可利用一个集成的软启动电容器将占空比经2,000周期逐步增加到50%,以限制启动时的电流冲击,并在整个启动过程保持高侧和低侧mosfet的脉宽相等。 新款参考设计包括完整的irdc2086-330w电路板,以及
到125℃时,rdson将增加50%。 除此之外,设计工程师还需要考虑传感元件的工艺偏差,此偏差可能高达30%(图2)。这意味着对于应用在0℃~125℃整个范围的20a系统,电流限值必须设置成平均值38a,这要求使用额定电流为45a的电感和mosfet。通过采用温度补偿和板上校准,电流限值可能更苛刻,设置点精度优于5%。这样,电流限值将降低到平均22a,可以选择25a电感和mosfet。所选的元件将更小、成本更低,而且能提供更精确的保护功能。 在考虑到这些要求后,选择irf6635作为低压侧mosfet。irf6636的额定漏电流在70°c温度下为25a,rdson非常低(在4.5v下为1.8 mω),可以最大程度地降低传导损耗。将两个mosfet并联可以提高电流,并保持器件的电流额定值(在高压侧也如此)。对高压侧mosfet选择irf6636是因为它的栅极电荷(qg)低,开关损耗最小。对于输入至输出的降压比很高的特定场合,高压侧mosfet保持导通的 时间不长,大部分损耗是开关损耗。 输入和输出电容的选择要满足总体瞬态目标,并使输入和输出纹波电流
5℃上升到125℃时,rdson将增加50%。 除此之外,设计工程师还需要考虑传感元件的工艺偏差,此偏差可能高达30%(图2)。这意味着对于应用在0℃~125℃整个范围的20a系统,电流限值必须设置成平均值38a,这要求使用额定电流为45a的电感和mosfet。通过采用温度补偿和板上校准,电流限值可能更苛刻,设置点精度优于5%。这样,电流限值将降低到平均22a,可以选择25a电感和mosfet。所选的元件将更小、成本更低,而且能提供更精确的保护功能。 在考虑到这些要求后,选择irf6635作为低压侧mosfet。irf6636的额定漏电流在70°c温度下为25a,rdson非常低(在4.5v下为1.8 mω),可以最大程度地降低传导损耗。将两个mosfet并联可以提高电流,并保持器件的电流额定值(在高压侧也如此)。对高压侧mosfet选择irf6636是因为它的栅极电荷(qg)低,开关损耗最小。对于输入至输出的降压比很高的特定场合,高压侧mosfet保持导通的 时间不长,大部分损耗是开关损耗。 输入和输出电容的选择要满足总体瞬态目标,并使输入和输出纹波电流最小。对于高
该款参考设计简化了用于网络、通信和高端服务器应用的48v输入砖和嵌入式电源的开发。irdc2086-330w是一款工作效率高达97%的48v至9.6v(35a)非稳压dc总线转换器,体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外,irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet,其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet,4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet(采用so-8封装的irf7830 80v mosfet)用于偏置开关和次级箝位(2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet)。ir2086s全桥式控制器在高频率(可高达500khz)下工作,可利用一个集成的软启动电容器将占空比经2,000周期逐步增加到50%,以限制启动时的电流冲击,并在整个启动过程保持高侧和低侧mosfet的脉宽相等。 新款参考设计包括完整的irdc2086-330w电路板,以及存有用
国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出一款新型的directfet mosfet芯片组。新品可配合ir近期发布的ir2086s全桥总线转换器集成电路,使直流总线转换器达到最高效率。这款芯片组可以提供完善的总线转换器解决方案,在比四分之一砖转换器还要小29%的电路板面积上,实现效率高达97%的336w功率。 irf6646和irf6635适用于隔离式dc-dc转换器总线转换器的固定48v和36v到60v输入桥式电路拓扑、同步降压非隔离式dc-dc电路拓扑、针对移动通信的18v到36v输入正激和推挽式转换器,以及调节式输出隔离式dc-dc应用中的次级同步整流。ir的新芯片组方案只有6个mosfet (4个初级和2个次级)和1个单独的集成电路,节省功率半导体零件数达46%。此外,以这种芯片组制成的隔离式总线转换器dc-dc能有效节省多达29%的占板空间,更可提升工作效率1.5%。 irf6646 80v mosfet的最大导通电阻为9.5mω,可针对初级桥式电路拓扑进行定制。irf6635 30v mosfet的最大导通电阻为1.8mω ,是
w。 该款参考设计简化了用于网络、通信和高端服务器应用的48v输入砖和嵌入式电源的开发。irdc2086-330w是一款工作效率高达97%的48v至9.6v(35a)非稳压dc总线转换器,体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外,irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet,其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet,4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet(采用so-8封装的irf7830 80v mosfet)用于偏置开关和次级箝位(2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet)。 ir中国及香港销售总监严国富表示:“ir在ir2086s控制ic上使用的高压ic技术与一流的directfet mosfet封装技术配合,可使温度比标准方案降低40°c,从而增加系统的可靠性。” ir2086s全桥式控制器在高频率(可高达500khz)下工作,可利用一个集成
30w。 该款参考设计简化了用于网络、通信和高端服务器应用的48v输入砖和嵌入式电源的开发。irdc2086-330w是一款工作效率高达97%的48v至9.6v(35a)非稳压dc总线转换器,体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外,irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet,其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet,4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet(采用so-8封装的irf7830 80v mosfet)用于偏置开关和次级箝位(2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet)。ir2086s全桥式控制器在高频率(可高达500khz)下工作,可利用一个集成的软启动电容器将占空比经2,000周期逐步增加到50%,以限制启动时的电流冲击,并在整个启动过程保持高侧和低侧mosfet的脉宽相等。 新款参考设计包括完整的irdc2086-330w电路板,以及存有用户指