IRF6641TRPBF
13857
-/23+
原厂订制,只做原装
IRF6641TRPBF
3000
./2019+
DIRECTFET全新进口原装假一赔十
IRF6641TRPBF
10000
MGWDSON5/-
-
IRF6641TRPBF
9900
DirectFET Isometric MZ/23+
只做原装,提供配单服务,QQ281559972
IRF6641TRPBF
700
QFN/0713+
只做原装,也只有原装
IRF6641TRPBF
8000
-/23+
只做原装现货
IRF6641TRPBF
3685
DIRECTFET MZ/24+
假一罚十,原装现货,支持含税
IRF6641TRPBF
30000
DIRECTFET MZ/23+
全新原装,假一罚十
IRF6641TRPBF
69800
-/2022+
特价现货,提供BOM配单服务
IRF6641TRPBF
30000
-/-
-
IRF6641TRPBF
9125
N/A/23+
9125
IRF6641TRPBF
6607
-/23+
现货假一罚万只做原厂原装现货
IRF6641TRPBF
9200
DIRECTFET/23+
只做原装更多数量在途订单
IRF6641TRPBF
28683
QFN8/21+
原装现货终端免费提供样品
IRF6641TRPBF
48000
MGWDSON5/2022+
只做原装,原装,假一罚十
IRF6641TRPBF
6400
SMD/22+
22+
IRF6641TRPBF
20000
-/21+
深圳原装现货价格优势
IRF6641TRPBF
8700
-/2023+
原装现货
IRF6641TRPBF
69000
DIRECTFETMZ/21+
原厂原装现货 假一赔十
4,800
分离式半导体产品
FET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
200V
4.6A
59.9 毫欧 @ 5.5A,10V
4.9V @ 150µA
48nC @ 10V
2290pF @ 25V
2.8W
表面贴装
DirectFET? 等容 MZ
DIRECTFET? MZ
带卷 (TR)
IRF6641TRPBF-NDIRF6641TRPBFTR
ir推出irf6641trpbf功率mosfet,采用ir标准的directfet封装技术结合ir最新的200vhexfet mosfet硅技术,可实现 95% 的效率。 ir 新推出的 200v directfet 器件是应用于专为 36v 至 75v 通用输入范围内操作的隔离式 设计dc-dc转换器。其超低的 51 mω典型10v 导通电阻rds(on) 及减低了的栅极电荷,使irf6641trpbf特别适合应用于高效同步整流mosfet、推动大电流负载的高频及高效的 dc-dc 转换器、新一代中间总线转换器、dc 马达驱动器,以及为风力涡轮转换功率的 48v 变频器的同步整流。在 48v 通用输入电压范围内操作的计算机及电信服务器的大电流 ac-dc 转换器也可以采用新器件进行同步整流。 ir 的新器件在诸多应用上都能提供卓越的表现。irf6641trpbf 与其他采用次级同步整流插座的增强 so-8 器件相比,当每个插座所使用的增强 so-8 器件的数目相同时,新的 directfet 器件的效率可提高 0.4% 。此外,当每个插座使用两个增强so-8器件时,ir 的新器件也能提供同样
国际整流器公司 (ir) 推出irf6641trpbf功率mosfet,采用ir标准的directfet封装技术结合ir最新的200v hexfet mosfet硅技术,可实现95%的效率。 ir新推出的200v directfet器件是应用于专为36v至75v通用输入范围内操作的隔离式设计dc-dc转换器。其超低的51 mω典型10v导通电阻rds(on) 及减低了的栅极电荷,使irf6641trpbf特别适合应用于高效同步整流mosfet、推动大电流负载的高频及高效的 dc-dc 转换器、新一代中间总线转换器、dc 马达驱动器,以及为风力涡轮转换功率的48v变频器的同步整流。在48v通用输入电压范围内操作的计算机及电信服务器的大电流ac-dc转换器也可以采用新器件进行同步整流。 ir亚太区高级销售总监曾海邦表示:“我们最新的200v directfet mosfet的电流额定值达到25安培,但面积仅与0.7毫米高度的so-8封装产品相同,同时也能把栅极电荷和封装电感降至最低,从而减少导通和开关损耗。一颗directfet moset就能比较两颗或三颗so-8器件节省超过50% 的空间。” ir
国际整流器公司(international rectifier,ir)新推出的200v directfet器件应用于专为36v至75v通用输入范围内操作的隔离式设计dc-dc转换器。其超低的51 mω典型10v导通电阻rds(on)及减低了的栅极电荷,使irf6641trpbf特别适合应用于高效同步整流mosfet、推动大电流负载的高频及高效的dc-dc转换器、新一代中间总线转换器、dc马达驱动器,以及为风力涡轮转换功率的48v变频器的同步整流。在48v通用输入电压范围内操作的计算机及电信服务器的大电流ac-dc转换器也可以采用新器件进行同步整流。 ir亚太区高级销售总监曾海邦表示:“我们最新的200v directfet mosfet的电流额定值达到25安培,但面积仅与0.7毫米高度的so-8封装产品相同,同时也能把栅极电荷和封装电感降至最低,从而减少导通和开关损耗。1颗directfet moset就能较2或3颗so-8器件节省超过50%的空间。” ir的新器件在诸多应用上都能提供卓越的表现。irf6641trpbf与其他采用次级同步整流插座的增强so-8器件相比
国际整流器公司(international rectifier,ir)新推出的200v directfet器件应用于专为36v至75v通用输入范围内操作的隔离式设计dc-dc转换器。其超低的51 mω典型10v导通电阻rds(on)及减低了的栅极电荷,使irf6641trpbf特别适合应用于高效同步整流mosfet、推动大电流负载的高频及高效的dc-dc转换器、新一代中间总线转换器、dc马达驱动器,以及为风力涡轮转换功率的48v变频器的同步整流。在48v通用输入电压范围内操作的计算机及电信服务器的大电流ac-dc转换器也可以采用新器件进行同步整流。 ir亚太区高级销售总监曾海邦表示:“我们最新的200v directfet mosfet的电流额定值达到25安培,但面积仅与0.7毫米高度的so-8封装产品相同,同时也能把栅极电荷和封装电感降至最低,从而减少导通和开关损耗。1颗directfet moset就能较2或3颗so-8器件节省超过50%的空间。” ir的新器件在诸多应用上都能提供卓越的表现。irf6641trpbf与其他采用次级同步整流插座的增强so-8器件相比,当每个插座所使用的增强so-8器件的数目
ir新推出的200v directfet器件是应用于专为36v至75v通用输入范围内操作的隔离式 设计dc-dc转换器。其超低的51 mω典型10v导通电阻rds(on)及减低了的栅极电荷,使irf6641trpbf特别适合应用于高效同步整流mosfet、推动大电流负载的高频及高效的dc-dc转换器、新一代中间总线转换器、dc马达驱动器,以及为风力涡轮转换功率的48v变频器的同步整流。在48v通用输入电压范围内操作的计算机及电信服务器的大电流ac-dc转换器也可以采用新器件进行同步整流。 ir亚太区高级销售总监曾海邦表示:“我们最新的200v directfet mosfet的电流额定值达到25安培,但面积仅与0.7毫米高度的so-8封装产品相同,同时也能把栅极电荷和封装电感降至最低,从而减少导通和开关损耗。一颗directfet moset就能比较两颗或三颗so-8器件节省超过50%的空间。” ir的新器件在诸多应用上都能提供卓越的表现。irf6641trpbf与其他采用次级同步整流插座的增强so-8器件相比,当每个插座所使用的增强so-8器件的数目相同时,新的directfet