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IR MOSFET及控制芯片组方案
固定工作周期。相比于业界标准的四分之一砖设计，该芯片组能有效节省多达50% 的电路板空间，并可减少60% 的组件数目。 ir2086s设有一个集成软启动电容器，能在2,000余个周期内把工作周期逐步增加至50%，以限制在启动阶段输入的电流；同时在整个启动过程中为全桥的高、低端mosfet保持相同的脉冲宽度。新器件的其它特点包括自恢复电流限制保护、(1.2a栅驱动电流及50 - 200毫微秒的可调停滞时间以抗衡击穿电流、最高达500khz的可编程开关频率。设计师可从100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四种directfet mosfet选择所需产品，组成完整的芯片组。这些mosfet采用ir最新技术及directfet封装，能大幅优化导通电阻、栅电荷等重要器件指标。由于器件温度更低，因此无需在初级部分添加并行器件，即可满足更高电流要求。整体而言，irf6644可提升约46% 输出功率，并有助于平衡转换器初级和次级部分的温度。相比类似电气参数的其它方案，irf6644的导通电阻降低了约48%。 irf6644的组合式导通电阻
用于下一代分布电源结构的直流总线变换器和负载点电源模块技术
o-8封装内，具有外部可调节的频率和死区时间以用于各种应用要求。提供了使能端和电流限制控制端。内部软启动特性极限在启动期间的浪涌电流，通过大约在门驱动信号的最初2000 个脉冲期间逐渐增加占空比到50%。相类似的方法可用于全桥直流总线变换器，使用新型的ir2086s，对于高达240w，在相似的波形因素下，在满载电流下具有大约96.4%的效率。图1显示了48v直流输入的原理图，它可用于36到75v输入电压宽范围、220w直流总线变换器电路。在初级，ir2085s 控制器和驱动器ic 驱动两个irf6644 低电荷directfet封装功率mosfet，它是100v 的n-沟道功率mosfet。初级的偏置电压通过一个线性稳压器来获得，并用于启动，然后在稳态下由变压器获得。irf7380，是双80v n-沟道功率mosfet，集成在so-8封装内，被用于获得该功能。在次级，新颖的30v n-沟道irf6612 或irf6618 directfet封装功率mosfet用于自驱动的同步整流拓扑结构中。对于12v输出应用来说，新型的40v n-沟道irf6613 可用作同步整流mosfet，这个单元在小于

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。相比于业界标准的四分之一砖设计，该芯片组能有效节省多达50% 的电路板空间，并可减少60% 的组件数目。 ir2086s设有一个集成软启动电容器，能在2,000余个周期内把工作周期逐步增加至50%，以限制在启动阶段输入的电流；同时在整个启动过程中为全桥的高、低端mosfet保持相同的脉冲宽度。新器件的其它特点包括自恢复电流限制保护、(1.2a栅驱动电流及50 - 200毫微秒的可调停滞时间以抗衡击穿电流、最高达500khz的可编程开关频率。设计师可从100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四种directfet mosfet选择所需产品，组成完整的芯片组。这些mosfet采用ir最新技术及directfet封装，能大幅优化导通电阻、栅电荷等重要器件指标。由于器件温度更低，因此无需在初级部分添加并行器件，即可满足更高电流要求。整体而言，irf6644可提升约46% 输出功率，并有助于平衡转换器初级和次级部分的温度。相比类似电气参数的其它方案，irf6644的导通电阻降低了约48%。 irf6644的组合式
IR推出通用有源ORing控制器集成电路
理器电源。在12v输出的系统中，只需并联4个irf6609 directfet mosfet，便可组成能处理100a电流的oring电路。ir5001s还可以用于48v/24v系统的反向极性应用，取代大型的d2pak二极管和昂贵的继电器。如果把ir5001s与100v的irf6655 directfet mosfet配合使用，可以提供30w到60w功率级的板上电源。采用小罐式封装的irf6655比采用so-8封装的体积减少一半，更适合功率较低的应用系统。采用中罐式封装的100w irf6644 directfet mosfet适用于功率较高的应用，能提供250w到300w功率级的板上电源，而且无需使用多个并联的so-8器件或体积更大的独立封装器件。如果加入简单的电荷泵电路，ir5001s可加装在-48v系统的接地oring端，以符合“先进电信计算架构”(atca)的规范。新产品采用输入终端(inn和inp)来测量外置mosfet的漏极和源极之间的不同电压和极性，从而确定输出电压。ic的输出电压(vout)能驱动外置mosfet栅极。如果电流极性反向，该ic会将

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