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十年配单,只做原装
国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出一款新型的directfet mosfet芯片组。新品可配合ir近期发布的ir2086s全桥总线转换器集成电路,使直流总线转换器达到最高效率。这款芯片组可以提供完善的总线转换器解决方案,在比四分之一砖转换器还要小29%的电路板面积上,实现效率高达97%的336w功率。 全新的irf6646及irf6635适用于隔离式dc-dc转换器总线转换器的固定48v及36v到60v输入桥式电路拓扑、同步降压非隔离式dc-dc电路拓扑、针对移动通信的18v到36v输入正激及推挽式转换器,以及调节式输出隔离式dc-dc应用中的次级同步整流。 业界标准的300w四分之一砖设计往往包含多达10个mosfet(4个初级和6个次级)、1个脉宽调制(pwm)集成电路及2个半桥驱动器集成电路。ir的新芯片组方案则只有6个mosfet(4个初级和2个次级)及1个单独的集成电路,节省功率半导体零件数达46%。 此外,以这种芯片组制成的隔离式总线转换器dc-dc能有效节省多达29%的占板空间,更可提升工作效率1
fet芯片组的参考设计irdc2086-330w。 该款参考设计简化了用于网络、通信和高端服务器应用的48v输入砖和嵌入式电源的开发。irdc2086-330w是一款工作效率高达97%的48v至9.6v(35a)非稳压dc总线转换器,体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外,irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet,其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet,4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet(采用so-8封装的irf7830 80v mosfet)用于偏置开关和次级箝位(2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet)。ir2086s全桥式控制器在高频率(可高达500khz)下工作,可利用一个集成的软启动电容器将占空比经2,000周期逐步增加到50%,以限制启动时的电流冲击,并在整个启动过程保持高侧和低侧mosfet的脉宽相等。
et功率mosfet芯片组的参考设计irdc2086-330w。 该款参考设计简化了用于网络、通信和高端服务器应用的48v输入砖和嵌入式电源的开发。irdc2086-330w是一款工作效率高达97%的48v至9.6v(35a)非稳压dc总线转换器,体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外,irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet,其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet,4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet(采用so-8封装的irf7830 80v mosfet)用于偏置开关和次级箝位(2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet)。ir2086s全桥式控制器在高频率(可高达500khz)下工作,可利用一个集成的软启动电容器将占空比经2,000周期逐步增加到50%,以限制启动时的电流冲击,并在整个启动过程保持高侧和低侧mosfet的脉宽相等。 新
国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出一款新型的directfet mosfet芯片组。新品可配合ir近期发布的ir2086s全桥总线转换器集成电路,使直流总线转换器达到最高效率。这款芯片组可以提供完善的总线转换器解决方案,在比四分之一砖转换器还要小29%的电路板面积上,实现效率高达97%的336w功率。 irf6646和irf6635适用于隔离式dc-dc转换器总线转换器的固定48v和36v到60v输入桥式电路拓扑、同步降压非隔离式dc-dc电路拓扑、针对移动通信的18v到36v输入正激和推挽式转换器,以及调节式输出隔离式dc-dc应用中的次级同步整流。ir的新芯片组方案只有6个mosfet (4个初级和2个次级)和1个单独的集成电路,节省功率半导体零件数达46%。此外,以这种芯片组制成的隔离式总线转换器dc-dc能有效节省多达29%的占板空间,更可提升工作效率1.5%。 irf6646 80v mosfet的最大导通电阻为9.5mω,可针对初级桥式电路拓扑进行定制。irf6635 30v mosfet的最大导通电阻为1.8mω ,是
ectfet功率mosfet芯片组的参考设计irdc2086-330w。 该款参考设计简化了用于网络、通信和高端服务器应用的48v输入砖和嵌入式电源的开发。irdc2086-330w是一款工作效率高达97%的48v至9.6v(35a)非稳压dc总线转换器,体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外,irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet,其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet,4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet(采用so-8封装的irf7830 80v mosfet)用于偏置开关和次级箝位(2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet)。ir2086s全桥式控制器在高频率(可高达500khz)下工作,可利用一个集成的软启动电容器将占空比经2,000周期逐步增加到50%,以限制启动时的电流冲击,并在整个启动过程保持高侧和低侧mosfet的脉宽相等。 新款参
tfet功率mosfet芯片组的参考设计irdc2086-330w。 该款参考设计简化了用于网络、通信和高端服务器应用的48v输入砖和嵌入式电源的开发。irdc2086-330w是一款工作效率高达97%的48v至9.6v(35a)非稳压dc总线转换器,体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外,irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet,其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet,4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet(采用so-8封装的irf7830 80v mosfet)用于偏置开关和次级箝位(2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet)。 ir中国及香港销售总监严国富表示:“ir在ir2086s控制ic上使用的高压ic技术与一流的directfet mosfet封装技术配合,可使温度比标准方案降低40°c,从而增加系统的可靠性。” ir2086s