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了的mosfet,它们配合在一起工作,在输出电压为8 v时可以提供150 w功率,效率超过96 %,如图3所示,它的尺寸比1/8砖转换器的外形尺寸还要小。与安装在电路板上、具有稳压作用的常规功率转换器相比,它的效率高3~5%,尺寸小40 %。有一种类似的方法可以用于全桥整流直流母线转换器,它使用新的ir2085s,输出功率达到240 w,尺寸也相似,在输出电流满载时的效率大约为96.4 %。图5是直流母线电压转换器的电路图,在这个电路中,原边使用控制器和驱动器集成电路ir2085s,它推动两只 irf7493 型fet晶体管───这是新一代低电荷、80 v的n型沟道mosfet功率晶体管,它采用so-8封装。在输入电压为36 v至75 v时,这只 fet 晶体管可以换成100v的irf7495fet 晶体管。在启动时,原边的偏置电压是由一只线性稳压器产生,在稳态时,则由变压器产生原边偏置电压。irf7380中包含两个80v的 n型沟道 mosfet功率晶体管,采用so-8封装,就是用于在稳态时产生原边偏置电压。 irf6612或者 irf6618──这是使用directfet封装的新型30v、 n型
生变压器不平衡。为了适合不同应用、功率电平和开关器件的需要,设计采用了一个外部电容器ct和电阻器rt,以独立调整高侧和低侧脉冲之间的频率和死区时间。为防止发生击穿现象,死区时间必须比原边mosfet的关断时间更长。 220khz的原边开关频率能够提供最佳的性能。更高的开关频率会减小输出电压波纹并允许使用体积更小的磁性元件,从而降低磁损耗。 新型dc总线转换器解决方案特征(见图8所示) 它采用一个50%的占空比以及自振式控制器icir2085s,负责驱动由两个mosfet所组成的原边半桥电路irf7493。该dc总线转换器的副边由一个自驱动同步整流电路irf6603(directfet mosfet)组成。这实现了功率转换效率和功率密度的最大化,且最大限度地减少了输入和输出滤波处理,并减少元件总数和降低复杂程度。该新型dc总线转换器在8v输出条件下提供150v输出功率,效率高达96%以上。 图8中偏压电源10v至15v由irf7380产生.irf7493为so-8封装的80v mosfet。 3、结束语 新型直流总线转换器可用于增强新一代网络与通信系统的电源配送能力。 将dc总线转换