IRGP30B120KD-E
400
TO247AD/22+
只做全新原装,原厂原包装原标签
IRGP30B120KD-EP
2475
TO2473 Long Leads (TO247AD)/12+
物美价优,假一罚十
IRGP30B120KD-E
2001
TO247/00+
只做原装,专为终端工厂服务
IRGP30B120KD-EP
350
TO2473 Long Leads (TO247AD)/24+
-
IRGP30B120KD-E
1000
-/10+
原装现货
IRGP30B120KD-E
580
TO247/22+
-
IRGP30B120KD
3278
NA//23+
原装现货,当天可交货,原型号开票
IRGP30B120KD
6500
TO3P/23+
只做原装现货
IRGP30B120KD
30000
TO247AC/21+
只做进口原装假一赔千
IRGP30B120KD
6000
TO247/22+
原装,提供BOM配单服务
IRGP30B120KD
5000
A/N/22+
一站式配单,只做原装
IRGP30B120KD
5000
TO/2019+
原装现货配单
IRGP30B120KD
3000
TO/10+
原装正品热卖,价格优势
IRGP30B120KD
6000
TO247/23+
原装现货 只做原厂原装优势库存 自家库存
IRGP30B120KD
6500
TO3P/23+
只做原装现货
IRGP30B120KD
15000
TO3P/22+
原装现货 平价清仓
IRGP30B120KD
105
05+/TO3P
11
IRGP30B120KD
985000
-/21+
100%原装现货,现货型号多欢迎加QQ咨询
IRGP30B120KD
28683
TO247/21+
原装现货终端免费提供样品
而设计的典型igbt电容曲线。cres曲线(及其他曲线)表明一个特性,电容一直保持在较高水平,直到v接近15v,然后才下降到较低值。如果减小或消除这种“高原”(plateau) 特性,c的实际值就可以进一步减小。 这种现象是由igbt内部的本征jfet引起的。如果jfet的影响可以最小化,c和c可随着vce的提高而很快下降。这可能减小实际的cres,即减小dv/dt感生开通对igbt的影响。 图3 需负偏置关断的典型igbt的寄生电容与v的关系。 irgp30b120kd-e是一个备较小c和经改良jfet的典型igbt。这是一个1200v,30a npt igbt。它是一个co-pack器件,与一个反并联超快软恢复二极管共同配置于to-247封装。 设计人员可减小多晶体栅极宽度,降低本征jfet的影响,和使用元胞设计几何图形,从而达到以上的目标。 对两种1200v npt igbt进行比较:一种是其他公司的需负偏置关断的器件,一种是ir公司的npt单正向栅驱动irgp30b120kd-e。测试结果表明其他公司的器件在源电阻为56Ω下驱