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IXTK180N15
High Current MegaMOSTMFET
IXYS [IXYS Corporation]
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IXTK180N15P
MOSFET N-CH 150V 180A TO-264
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0.1、0.25、0.4时对应的箝位电容c的电压脉动δuc仿真波形图。由图4可知，当d=0.25时δuc最大。图5为输入电流仿真波形，其中图5（a）为原边激磁电感lm=12μh，漏感lσ=0.05μf时仿真波形图;图5（b）为原边激磁电感lm=12μh，漏感lσ=0时仿真波形图。仿真结果表明，lσ=0时输入电流不存在环流过程。 4.2 实验结果根据有关技术要求，研制出了一台输入dc24v～32v，输出dc120v的2kwdc/dc变换器。系统参数为：开关频率fs=50khz；主功率开关管为ixtk180n15；整流二极管为dsep60－06a；箝位电容c=70μf；滤波电感lf=160μh；滤波电容cf=680μf/400v×2；主变压器匝比n=6，磁芯为ee55×2。图6为额定负载下实验波形图，其中图6（a）是原边绕组电流波形图（ch1为开关管v1驱动信号波形，ch2为开关管v2驱动信号波形，ch3为绕组tp1电流波形i1，ch4为绕组tp2电流波形i2）；图6（b）是开关管漏源极波形图（ch1为开关管v1的驱动信号，ch2为开关管v1源漏极电压波形，ch3为开关管v2的驱动信
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