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储器、sdram存储器、d/a转换器和240x128液晶显示器等。 考虑设计成本等因素,可编程逻辑器件fpga采用ep1c6q240c8低功耗器件。该器件采用逻辑阵列模块(lab)和查找表(lut)结构,内核采用 1.5 v电压供电,其内部资源丰富,内嵌5 980个逻辑单元(le)、20个4 k字节双口存储单元(m4k ram block)和92 160 bit的高速ram等。串行电可擦除flash存储器采用altera公司的epcs16st16n集成电路;sdram存储器采用三星公司的 k4s641632h;d/a转换器采用national semiconductor公司的dac0832;为增加显示信息,采用240x128型液晶显示器显示字符。 4 系统硬件设计 4.1 基于nios ii最小系统的sopc 打开quartusli中的sopc builder开发工具,在altera公司的可编程逻辑器件fpga中,把相应的ip核添加到系统中,构建一个基于nios ii的嵌入式可编程片上硬件系统。sopc builder是一个功能强大的sopc开发工具,它使开发者在可编程逻辑
k4s641632h与k4s641632f.html">k4s641632f又区别嘛???大侠,我看见开发板上边的sdram是k4s641632h,我现在做了一块试验板,我要是用k4s641632f可以代替嘛?我现在写flash很正常,就是程序跑不起来,你说是sdram型号不一样的事嘛???k4s641632h与k4s641632f.html">k4s641632f又区别嘛???
各位大侠,arm板问题求救!!!急求救!!!各位大侠,你好,我的s3c44b0的板子,写flash正确,可是复位后程序跑不起来。用sdt仿真时,下载的程序也不对那,刚开始的初始界面就不对,没有进汇编入口。我怀疑是sram不对,我用的是k4s641632f,demo板上是k4s641632h,连线都一样,检测程序就是没跑,管脚都是高电平,望各位大侠指教,看看问题可能出那儿呢,谢谢!!1
561620ftp-h 25.00hy57v561620ct-h 28.50 hy57v641620hgt-h 7.50ads7843e 12.00 sst39vf1601-70-4c-ek 6.00k9f5608uod-pcbo 22.00 sst39vf040-70-4c-wh 5.30hy57v161610et-7 4.80 hy57v281620etp-h 15.00hy57v641620etp-7 7.50 k4s641632h 8.00uda1341ts 16.00 hr61101g 8.00k4s561632e-tc75 28.00 hr601627 4.00k4s161622d-tc70 7.00 rtl8201bl 5.50k9f2808uoc-pcbo 22.00 sl811hst 20.00at91rm9200-qu 83.00 ax88796 40.00ads7846e 13.00 20f-01/001
求助 存储器我测试三星的sdram单片k4s641632h,在read 的时候,我设置cl=2,但是read过后第一个时钟上升沿,数据就被输出了,又改为cl=3,发现还是少一个时钟周期(相对于micron的datasheet里的时序图)。有那位高人,遇到过这样的情况,解释一下。是由于三星的比较特殊还是我的问题,另外,问一下,idle的状态是什么?全高还是全低,还是不定态
561620ftp-h 25.00hy57v561620ct-h 28.50 hy57v641620hgt-h 7.50ads7843e 12.00 sst39vf1601-70-4c-ek 6.00k9f5608uod-pcbo 22.00 sst39vf040-70-4c-wh 5.30hy57v161610et-7 4.80 hy57v281620etp-h 15.00hy57v641620etp-7 7.50 k4s641632h 8.00uda1341ts 16.00 hr61101g 8.00k4s561632e-tc75 28.00 hr601627 4.00k4s161622d-tc70 7.00 rtl8201bl 5.50k9f2808uoc-pcbo 22.00 sl811hst 20.00at91rm9200-qu 83.00 ax88796 40.00ads7846e 13.00 20f-01/001