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够擦写100，000次，而mlc能够擦写10，000次)。由于mlc flash具有成本低的优势，而其出错率高的缺陷又可以通过ecc(error correction code)纠错来有效解决，寿命短的问题也可以通过磨损均衡来弥补，因此，mlc flash的应用更加广泛，但在一些高端应用仍然会使slcflash。本设计就是针对mlc flash，但是，本方法对slc flash也能够处理。 1．2 nand flash结构 不同厂商不同型号的flash的结构都大同小异，图l所示是三星k9g8g08uoa型号的flash结构图，图l中的1个flash芯片包含4096个物理块(block)，每个物理块含有128个页(page)，每个页包含2112(2048+64)字节其中多出的64字节用于存放纠错码及其他信息用。 1．3 nand flash的特点 flash可支持读(read)操作、写(program)操作和擦除(erase)操作。其中读操作和写操作的基本单位是页，擦除操作的基本单位是块。对flash的写入操作只能在尚未写入的空闲页上进行，并且只能按照从低地址页到高地址页的顺序进
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