KM29U64000T
8M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG
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8M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
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这些功能受密码保护，为系统前台操作。· 前台操作可以在两个存储卡之间切换，而后台操作则独立运行，不受前台操作影响，仅取决于线上是否有语音出现。也就是说，放音、监听、检索等操作均不影响录音，可以录放音双工同时工作。 2 系统整体模块设计如图1所示，整个系统可分为flash存储卡、信号处理、信号输入输出、系统控制和电源管理等五个功能单元。 2.1 flash存储卡韩国三星(samsung)半导体公司的大容量存储器具有很高的性能价格比，本系统选用三星的64兆位flash存储芯片km29u64000来存储语音数据。该芯片工作在2.7~3.6v电压下，其命令、地址、数据线复用，8位宽度传输。可重复擦写一百万次，掉电后数据存储时间为10年。该芯片在5.3kb/s的码率下可存储3.5小时以上的语音，因而在采用4枚该芯片的存储卡上，可以记录多达14小时的语音信息。2.2 信号处理单元本单元包括数字信号处理器(dsp)、编解码器(codec)和一些控制器件。dsp部分采用analog devices公司生产的16位定点数字信号处理器adsp2181，这是本系统进行信号处理的核心芯片，它具有以下特点：
c2316）是samsung公司生产的性价比较高的一种cmos四位单片机，可以一次性编程，适于小批量生产，被广泛地应用于家用电器的控制，它具有强大的i/o功能。其主要性能如下： ·rom为16k×8 bit；ram为512×4 bit ·40个i/o引脚 ·多至16位数字lcd显示 ——32个段，4个公共端引脚 这些性能保证了系统主控能力，而且能够提供灵活的外部接口，适于做进一步的改进和改造。计算器等附加功能可以直接由mcu完成。 2.3 数据flash存储器 数据flash存储器km29u64000是samsung公司的产品，它可在3伏电压下低功耗工作，存贮量大、价位低、速度快、存储数据掉电后可保持而不会丢失。其主要性能指标如下： ·存储单元阵列为（8m+256k）×8bit；数据寄存器（512+16）×8bit ·页写入为（512+16）byte；块擦除为（8k+256）byte ·命令/地址/数据复用i/o端口 ·可靠的cmos floating-gate技术，耐受一百万次写入/擦除，数据维持时间为10年 ·命令寄存器操作 2.4 其它器件 本系统还采用了analog d
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