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飞思卡尔推出LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11KH

飞思卡尔半导体日前在ieee mtt-s国际微波大会上宣布推出全球最高功率的ldmos射频功率晶体管。 mrf6vp11kh 设备提供130 mhz、1 kw的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。 这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科技和医疗（ism）市场提供业界最具创新力的射频功率解决方案的最新例证。该晶体管的操作电压为50v，与双极和mosfet 设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(mri)系统、co2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。 以空前的功率水平实现高增益，这大大减少了所需的部件数量，与传统设计相比，部件数量减少了70%。部件数量的大幅减少，使主板空间要求和制造复杂性随之降低，最终使放大器成本全面降低。 这种晶体管在10-150 mhz之间运行。它采用飞思卡尔第六代高电压 (vhv6) ldmos（横向扩散金属氧化物晶体管)技术，是飞思卡尔承诺向工业、科技和医疗（ism）市场提供业界最新射频功率解决方案的最新例证。该产品组合2006年6月公布的业界领先的50v vhv6 ldmos设备系列，能够满足在频率高达450

飞思卡尔推出高功率LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11K

飞思卡尔(freescale)半导体日前在ieee mtt-s国际微波大会上宣布推出全球最高功率的ldmos射频功率晶体管。mrf6vp11kh设备提供130mhz、1kw的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。 该晶体管的操作电压为50v，与双极和mosfet设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(mri)系统、co2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。 以高功率水平实现高增益，这大大减少了所需的部件数量，与传统设计相比，部件数量减少了70%。部件数量的大幅减少，使主板空间要求和制造复杂性随之降低，最终使放大器成本全面降低。 这种晶体管在10-150mhz之间运行。它采用飞思卡尔第六代高电压(vhv6)ldmos(横向扩散金属氧化物晶体管)技术，该产品组合2006年6月公布的50v vhv6 ldmos设备系列，能够满足在频率高达450mhz的hf、vhf和uhf上操作ism应用所需的要求。 mrf6vp11kh带来的好处已经超越了它作为商用ldmos rf晶体管的地位。mrf6vp11kh提供65%的排放功率和高于2

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飞思卡尔(freescale)半导体日前在ieee mtt-s国际微波大会上宣布推出全球最高功率的ldmos射频功率晶体管。mrf6vp11kh设备提供130mhz、1kw的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。 该晶体管的操作电压为50v，与双极和mosfet设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(mri)系统、co2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。 以高功率水平实现高增益，这大大减少了所需的部件数量，与传统设计相比，部件数量减少了70%。部件数量的大幅减少，使主板空间要求和制造复杂性随之降低，最终使放大器成本全面降低。 这种晶体管在10-150mhz之间运行。它采用飞思卡尔第六代高电压(vhv6)ldmos(横向扩散金属氧化物晶体管)技术，该产品组合2006年6月公布的50v vhv6 ldmos设备系列，能够满足在频率高达450mhz的hf、vhf和uhf上操作ism应用所需的要求。 mrf6vp11kh带来的好处已经超越了它作为商用ldmos rf晶体管的地位。mrf6vp11kh提供65%的排放功率和高于2

飞思卡尔推出LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11KH

飞思卡尔半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。

　　MRF6VP11KH 设备提供130 MHz、1 kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。

　　这种超高效率晶体管是飞思卡尔...

飞思卡尔推出高功率LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11KH

飞思卡尔(freescale)半导体日前在ieee mtt-s国际微波大会上宣布推出全球最高功率的ldmos射频功率晶体管。mrf6vp11kh设备提供130mhz、1kw的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。 该晶体管的操作电压为50v，与双极和mosfet设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(mri)系统、co2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。 以高功率水平实现高增益，这大大减少了所需的部件数量，与传统设计相比，部件数量减少了70%。部件数量的大幅减少，使主板空间要求和制造复杂性随之降低，最终使放大器成本全面降低。 这种晶体管在10-150mhz之间运行。它采用飞思卡尔第六代高电压(vhv6)ldmos(横向扩散金属氧化物晶体管)技术，该产品组合2006年6月公布的50v vhv6 ldmos设备系列，能够满足在频率高达450mhz的hf、vhf和uhf上操作ism应用所需的要求。 mrf6vp11kh带来的好处已经超越了它作为商用ldmos rf晶体管的地位。mrf6v

飞思卡尔推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管

飞思卡尔半导体日前在ieee mtt-s国际微波大会上宣布推出全球最高功率的ldmos射频功率晶体管。mrf6vp11kh 设备提供130 mhz、1 kw的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。 这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科技和医疗（ism）市场提供业界最具创新力的射频功率解决方案的最新例证。该晶体管的操作电压为50v，与双极和mosfet设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(mri)系统、co2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。 以空前的功率水平实现高增益，这大大减少了所需的部件数量，与传统设计相比，部件数量减少了70%。部件数量的大幅减少，使主板空间要求和制造复杂性随之降低，最终使放大器成本全面降低。 飞思卡尔副总裁兼射频部总经理gavin p. woods表示：“mrf6vp11kh的推出，在效率、输出功率、可靠性和设计集成的便利性等各方面设定了新的行业基准。任何其他射频功率设备（包括ldmos、mosfet和双极）都无法实现这样的性能。我们将继续针对这类市场推出创新设备，让我们的客户能够攻克系统性能的新障碍。” 这种晶体管在10-

飞思卡尔推出最高功率的LDMOS射频功率晶体管

飞思卡尔半导体日前在ieee mtt-s国际微波大会上宣布推出全球最高功率的ldmos射频功率晶体管。mrf6vp11kh 设备提供130 mhz、1 kw的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。 这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科技和医疗（ism）市场提供业界最具创新力的射频功率解决方案的最新例证。该晶体管的操作电压为50v，与双极和mosfet 设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(mri)系统、co2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。 以空前的功率水平实现高增益，这大大减少了所需的部件数量，与传统设计相比，部件数量减少了70%。部件数量的大幅减少，使主板空间要求和制造复杂性随之降低，最终使放大器成本全面降低。 飞思卡尔副总裁兼射频部总经理gavin p. woods表示：“mrf6vp11kh的推出，在效率、输出功率、可靠性和设计集成的便利性等各方面设定了新的行业基准。任何其他射频功率设备（包括ldmos、mosfet和双极）都无法实现这样的性能。我们将继续针对这类市场推出创新设备，让我们的客户能