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  • 嵌入式技术在电流传感器蓄电池中的应用

    地址线。另外由于atmel官方提供的sam-ba烧写程序仅支持dataflash和nandflash,因此有必要修改sam-ba的脚本文件以实现对norflash的烧写 c nandflash存储器芯片选择三星公司的k9f1208u0b,其存储容量为存储容量:64m*16bit, 采用wince或者linux的操作系统时使用该芯片中存储操作系统和应用程序;如使用ucos之类的小型操作系统时,则该芯片可以省略不焊接,系统与boot程序存储在norflash即可。 d sdram芯片采用mt48lc16m16a2tg-75it:d,每片容量为16m*16bit,本系统中采用两片sdram构成32数据总线。由于sdram芯片为整个嵌入式平台的内存,需要频繁地与cpu进行数据交互,为了实现较好的信号完整性,在靠近arm的地址和控制总线上串联22欧姆平衡电阻吸收信号反射。当采用小型操作系统时候,操作系统可在arm内部的sram中运行,sdram可以省略不焊接。 e 扩展接口将arm芯片的所有可用接口皆扩展出来,用于和扩展板连接。 f 由于信号密集,同时需要将接口全部引出并保证良好的电磁兼容性效果,pcb采用六层板p

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