NE3509M04-T2-A
14554
SOT343/1636+
全新原装深圳现货
NE3509M04-T2-A
14554
SOT343/1636+
Japan
NE3509M04
21800
SOT343/23+
现货库存,如实报货,价格优势,一站式配套服务
NE3509M04
8500
SOT343/21+
原装现货
NE3509M04
8700
SOT343/2021+
原装现货
NE3509M04
6000
SOT343/23+
专注电子元件十年,只做原装现货
NE3509M04
8300
SOT343/23+
原装现货
NE3509M04
8300
SOT343/21+
原装现货
NE3509M04
6000
SOT343/23+
专注电子元件十年,只做原装现货
NE3509M04
6386
SOT343/2021+
原装正品
NE3509M04
100
1424+/SOT
-
NE3509M04
10000
SOT343/21+
原装正品,优势库存,假一罚十
NE3509M04
6500
SOT/21+
原装正品
NE3509M04
5000
SOT343/22+
只有原装,提供一站配套服务
NE3509M04
927427
SOT343/23+
终端可以免费供样,支持BOM配单
NE3509M04
8300
SOT343/23+
原装现货
NE3509M04
69000
SOT343/21+
原厂原装现货 假一赔十
NE3509M04
12260
SOT343/23+
高品质 优选好芯
NE3509M04
18000
-/NEW
元器件代理百强企业
NE3509M04
21403
SOT343/23+
原装现货,长期供应
了一个有0.77db噪声系数的低噪声放大器。 制造商们一般会给出低噪声放大器的输入/输出匹配、噪声系数、增益、稳定性、1db压缩点、二阶和三阶互调分量、带外抑制,以及反向隔离等指标。这些参数中,很多是互相依赖的,因此在有限的时间内要满足所有这些设计标准,工作会很复杂(参考文献2和3)。图1给出了一种灵活的放大器结构,它能满足所有这些设计标准。 图1,可以用gaas异质结fet设计一款低噪声s频段rf放大器。 设计用microwave的office awr建立并仿真。nec的ne3509m04 gaashjfet(异质结场效应管)用作低噪声高增益晶体管。电抗匹配的放大器输入采用了数据表给出的最佳反射系数值,可提供低噪声和高增益。fet设计常用的方法包括有源偏置与自举,可防止漏源电流随温度而变化。而这种设计的结果是一种高性价比的小型自偏置电路,没有给电路增加复杂性。晶体管的偏置点是2v的漏源电压,漏极电流为15ma,此时晶体管提供约16.5db的可接受rf增益。 电路的另一个设计目标是低噪声放大器的无条件稳定性。晶体管的内部反馈与带外频率上的过高增益都是这种电路不稳定的主要原因。