当前位置:维库电子市场网>IC>ntzd3155ct1g 更新时间:2024-04-18 23:20:28

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  • NTZD3155CT1G的技术参数

    产品型号:ntzd3155ct1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):400最大漏极电流id(on)(a):0.540通道极性:n/p沟道封装/温度(℃):sot-563/-55 ~150描述:20 v, 540 ma/ -430 ma 双功率mosfet带esd保护价格/1片(套):¥1.67 来源:xiangxueqin

  • NTZD3155CT1G的技术参数

    产品型号:NTZD3155CT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):400
    最大漏极电流Id(on)(A):0.540
    通道极性:N/P沟道
    封装/温度(℃):SOT-563/-55 ~150
    描述:20 V, 540 mA/ -430 mA 双功率MOSFET带ESD保护

ntzd3155ct1g替代型号

NTZD3154NT1G NTZD3154NT1 NTZD3154N NTZD3152PT1G NTZD3152PT1 NTY100N10G NTTS2P03R2G NTTS2P02R2G NTTD4401FR2G NTS4409NT1G

NTZS3151PT1 NTZS3151PT1G NU501 NUD3048MT1G NUD3105DMT1 NUD3105DMT1G NUD3105LT1G NUD3112DMT1G NUD3112LT1 NUD3112LT1G

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