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当前位置：维库电子市场网>IC>qs6k1 更新时间:2024-04-09 13:13:50

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qs6k1中文资料

  • 典型关断延迟时间:

    15 ns

  • 典型接通延迟时间:

    7 ns

  • 典型栅极电荷@Vgs:

    1.7 nC V @ 4.5

  • 典型输入电容值@Vds:

    77 pF V @ 10

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 宽度:

    1.6mm

  • 封装类型:

    TSMT

  • 尺寸:

    2.9 x 1.6 x 0.85mm

  • 引脚数目:

    6

  • 最低工作温度:

    -55 °C

  • 最大功率耗散:

    1250 mW

  • 最大栅源电压:

    12 V

  • 最大漏源电压:

    30 V

  • 最大漏源电阻值:

    0.238

  • 最大连续漏极电流:

    1 A

  • 最高工作温度:

    +150 °C

  • 每片芯片元件数目:

    2

  • 类别:

    功率 MOSFET

  • 通道模式:

    增强

  • 通道类型:

    N

  • 配置:

    双

  • 长度:

    2.9mm

  • 高度:

    0.85mm

  • QS6K1

    电流参数：ID=±1A/IDP=±4A/IS=0.8A/ISP=4A/IGSS=10μA/IDSS=1μA电压参数：UDSS=30V/UGSS=12V/UGS(th) =1.5V功 率： PD=1.25W其他参数： 4.5vV/170mΩ、2.5V/260mΩ极 性：N/N备 注：双场效应管/内含二极管

qs6k1替代型号

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