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块的电路设计 由lnk500构成2.5w恒压／恒流式充电器模块的内部电路如图1所示。fr为可自恢复熔断电阻器，它具有限流保护作用并能限制上电时的冲击电流。由vd1～vd4构成桥式整流，由电感l1、l2和电容c1、c2组成低功耗π型滤波器，能滤除电磁干扰。l2可采用3.3μh的磁珠。在lnk500内部功率mosfet导通时，输出整流管vd6截止，此时电能就储存在高频变压器中。当功率mosfet关断时，vd6导通，储存在高频变压器中的能量就通过次级电路输出。vd6采用1a／100v的肖特基二极管sb1100，r4和c7并联在vd6两端，能防止vd6在高频开关状态下产生自激振荡。c6为输出端滤波电容。r5为22kω的负载电阻。 图1 2.5w恒压／恒流式充电器模块的内部电路 由r1、c3和vd5构成的rcd型箝位电路具有以下功能： 1）当功率mosfet关断时，对初级感应电压进行箝位； 2）能简化反馈电路的设计。 控制端的反馈电流由电阻r2来设定。刚启动电源时由控制端电容c4给lnk500供电，c4还决定了自动重启动频率。 为了降低电磁干扰，高频变压器的初级设计了两个绕组，
电器模块的电路设计由lnk500构成2.5w恒压／恒流式充电器模块的内部电路如图1所示。fr为可自恢复熔断电阻器，它具有限流保护作用并能限制上电时的冲击电流。由vd1～vd4构成桥式整流，由电感l1、l2和电容c1、c2组成低功耗π型滤波器，能滤除电磁干扰。l2可采用3.3μh的磁珠。在lnk500内部功率mosfet导通时，输出整流管vd6截止，此时电能就储存在高频变压器中。当功率mosfet关断时，vd6导通，储存在高频变压器中的能量就通过次级电路输出。vd6采用1a／100v的肖特基二极管sb1100，r4和c7并联在vd6两端，能防止vd6在高频开关状态下产生自激振荡。c6为输出端滤波电容。r5为22kω的负载电阻。由r1、c3和vd5构成的rcd型箝位电路具有以下功能：1）当功率mosfet关断时，对初级感应电压进行箝位；2）能简化反馈电路的设计。控制端的反馈电流由电阻r2来设定。刚启动电源时由控制端电容c4给lnk500供电，c4还决定了自动重启动频率。为了降低电磁干扰，高频变压器的初级设计了两个绕组，分别为np1及np2。np2被称为"抵消绕组"（cancellation windi
电流参数：IF(AV)=1A/IR=0.5mA/Irr=30mA/IFSM=40A电压参数：URRM=100V/UF=850mV功 率：PD=1.25W备 注：肖特基二极管(Irr为Ta=75℃值)
1n5822的反压才40v,其他倒满足。sb1100 电流小,其他倒满足.
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