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  • 包含热模型的新型MOSFET PSPICE模型

    ) 列表来表示, b)电压产生器 vpulse,c) 一种激励电压产生器。芯片温度增高的平均值 ∆tj-c(t)决定於pave(t),再乘上zth(t)。 因此tj-c(t) 可以用下式表示: tj-c(t)= pave(t) •zth(t).+tcase (4.4) 其中tcase 取等於环境温度。 5. 模拟仿真结果及测量结果 在栅极驱动信号为不同类型的情况下进行了模拟仿真。下面图中的曲线是模拟仿真的结果。这些模拟仿真的结果是用新的supermeshtm stp14nk50zfp 高电压mosfet测量得到的,mosfet是装在绝缘的外壳中。 这种mosfet器件是用本公司专有的mesh overlaytm 技术的经过优化而制造的产品。 在很宽的温度范围上进行了测量,测量结果如图7示。 图 2 不同温度tj时的输出特性曲线(实测结果) 图 3 在不同的tj时的输出性曲线(模拟结果) 图 4 电路图 图 5 在10v时的rds(on) (模拟结果) 图 6 在10v时的rds(on) (实测结

  • STP14NK50ZFP

    电流参数:ID=14A电压参数:UDS=500V/UGS=±30V功 率:Ptot=35W其他参数:10V/0.34Ω,trr=470ns极 性:N

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