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1N3070

更新时间:2024-09-26 09:12:17
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1N3070 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：IF(AV)=500mA/IFSM=1A/IR(IR=175V)=100nA
    电压参数：URRM=200V/UR(IR=100μA)=200V/UF(IF=100mA)=1V
    功  率：PD=500mW
    其他参数：trr=50ns
    备  注：小信号二极管

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1N3070外观图

  • 大小：271.25KB
  • 厂家：SUNMATE/森美特
  • 描述：SMALL SINGNAL DIODES 1N3070 Electrical Characteristics T A =25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units V RRM Maximum Repetitive Reverse Voltage 200 V I F(AV) Average Rectified Forward Current 500 mA I FSM Non-repetitive Peak Forward Surge Current Pulse Width = 1.0 second Pulse Width = 1.0 microsecond 1.0 4.0 A A T STG Storage Temperature Range -65 to +200 °C T Operating Junction Temperature 175 °C Symbol Parameter Value Units P D Power Dissipation 500 mW R θJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 300 °C Symbol Parameter Test Conditions Min. Max. Units V R Breakdown Voltage I R = 100μ A 200 V V F Forward Voltage I F = 100mA 1.0 V I R Reverse Leakage V R = 175V V R = 175V, T A = 150°C 100 100 nA μ A C T Total Capacitance V R = 0V, f = 1.0MHz 5 pF t rr Reverse Recovery Time I F = I R = 30mA, RL = 100? 50 ns 0.079(2.0) MAX 0.020(0.52) TYP 0.165 (4.2) MAX 1.0 2(26.0) MIN. 1.0 2(26.0) MIN. DO-35(GLASS) Dimensions in millimeters Maximum Ratings @
  • 标准包装：2,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：单二极管/整流器
  • 系列：-
  • 二极管类型：标准
  • 电压 - (Vr)（最大）：200V
  • 电流 - 平均整流 (Io)：500mA
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）：1V @ 100mA
  • 速度：快速恢复 = 200mA（Io）
  • 反向恢复时间(trr)：50ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电：100nA @ 175V
  • 电容@ Vr, F：5pF @ 0V，1MHz
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
  • 供应商设备封装：DO-35
  • 包装：散装
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