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1N5408

更新时间:2024-04-26 22:17:20
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1N5408 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:IO=3A/IFSM=200A/IR=10μA
    电压参数:URRM=URWM=UR=1000V/UF=1V/URSM=1200V
    功  率:PD=6.25W
    备  注:整流二极管(IF(AV)为Ta=75℃值)

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  • 大小:126.22KB
  • 厂家:SUNMATE/森美特
  • 描述:1N5400 - 1N5408 VOLTAGE RANGE: 50 - 1000V 1 of 2 Case: DO-201AD Features High Current Capability and Low Forward Voltage Drop Low Reverse Leakage Current Plastic Material: UL Flammability Classification Rating 94V-0 Mechanical Data Terminals: Plated Leads Solderable per MIL-STD-202, Method 208 Polarity: Cathode Band Weight: 1.1 grams (approx.) Mounting Position: Any Marking: Type Number Maximum Ratings and Electrical Characteristics @ T A = 25C unless otherwise specified Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. Characteristic Symbol 1N 5400 1N 5401 1N 5402 1N 5404 1N 5406 1N 5407 1N 5408 Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V RRM V RWM V R 50 100 200 400 600 800 1000 V RMS Reverse Voltage V R(RMS) 35 70 140 280 420 560 700 V Average Rectified Output Current @ T A = 105C (Note 1) I O 3.0 A Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms Single half sine-wave superimposed
  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:单二极管/整流器
  • 系列:-
  • 二极管类型:标准
  • 电压 - (Vr)(最大):1000V(1kV)
  • 电流 - 平均整流 (Io):3A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1V @ 3A
  • 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电:10µA @ 1000V
  • 电容@ Vr, F:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向
  • 供应商设备封装:DO-201AD
  • 包装:散装
  • 其它名称:1N5408OS
1N5408 相关信息
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    ...3均选用5~1OW的线绕电阻器,其阻值应根据电动机的额定功率而定。若用于1.5kW的电动机,额定电流约3A,则取样电阻器的阻值可定为0.3Ω。 RG1~RG3均选用MC45系列的光敏电阻器。 VD1~VD12均选用1N5408型硅整流二极管。 VT1~VT3均选用MAC97A6型双向晶闸管。 HL1~HL3均选用手电筒用1.5V小电珠,使用时将HL1、HL2和HL3分别与RG1、RG2和RG3封装在不透光的塑料管中。 S1使用原电动机控制回路...
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    ...均选用耐压值为16V的铝电解电容器;C2选用独石电容器或涤纶电容器;C4选用CBB无感电容器。VDl-VD30均选用1N4148型硅开关二极管。VS选用lW、9V的硅稳压二极管。UR选用2A、400V的整流桥堆,也可用4只1N5408桥式连接后代用。Vl-V3选用C8050或S8050、3DG8050型硅NPN晶体管。VTl-VT6均选用400V以上的晶闸管,其电流容量应视每路彩灯的总功率而定。若每路彩灯的总功率在2OOW以内,可选用2A的晶闸管...
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    ...R4均选用1/2W金属膜电阻器;R2、R3和R5~R8均选用1/4W金属膜电阻器。 C1选用耐压值为25V的铝电解电容器;C2选用耐压值大于16V的铝电解电容器;C3选用涤纶电容器或独石电容器。 VD1~VD4均选用1N5408型硅整流二极管;VD5~VD8均选用1N4148型硅开关二极管。 VS选用1N4742型(1W、12V)的硅稳压二极管。 V选用C8050或S8050、3DG180N等型号的硅NPN晶体管。 VT选用反向击穿电压为400V以上的晶...
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  • 数控直流稳压电源 六
    ...膜电阻器或碳膜电阻器。Cl、C3和C4均选用耐压值为5OV的铝电解电容器;C2、C6-ClO均选用独石电容器;C5选用耐压值为l6V的铝电解电容器。VDl选用lN4001或1N4007型硅整流二极管;VDZ-VDl0选用1N5404或1N5408型硅整流二极管;VDll-VD2O均选用1N4148型硅开关二极管。VLI和VL2均选用与LED数码显示器发光颜色相同、尺寸相近的扁方形 (2mmx5mm)发光二极管;LED数码显示器选用7位共阴数码管。Vl-Vll选用...
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