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1N5819HW

更新时间:2024-04-27 18:39:19
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  • 厂家：SUNMATE/森美特
  • 描述：CURRENT: 1.0 A VOLTAGE RANGE: 40V 1N5819HW Features Maximum Ratings @ T A = 25C unless otherwise specified  Schottky Barrier Chip  Guard Ring Die Construction for Transient Protection  Low Power Loss, High Efficiency  High Surge Capability  High Current Capability and Low Forward Voltage Drop Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. Characteristic Symbol 1N5819HW Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage @ I R = 1.0mA DC Blocking Voltage V RRM V RWM V R 40 V RMS Reverse Voltage V R(RMS) 28 V Average Rectified Output Current @ T L = 90C I O 1.0 A Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) I FSM 25 A Power Dissipation (Note 2) P d 450 mW Typical Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 2) R JA 222 C/W Operating and Storage Temperature Range T j, T STG -65 to +125 C Characteristic Symbol M
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