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1SS355

更新时间:2024-04-27 14:57:39
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    1SS355 FNTE-17
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1SS355 相关资料
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    0.1A/40V

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  • 厂家:TD
  • 描述:Dated : 22/07/2012 Rev:01 TOP DYNAMIC 1SS355 Silicon Epitaxial Planar Switching Diode Features ? Small plastic package suitable for surface mounted design ? High reliability with high surge current handling capability Applications ? High speed switching Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Peak Reverse Voltage V RM 90 V Reverse Voltage V R 80 V Average Rectified Forward Current I F(AV) 100 mA Peak Forward Current I FM 225 mA Surge Forward Current (1 s) I FSM 500 mA Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T stg - 55 to + 150 O C Electrical Characteristics (T a = 25 O C) Parameter Symbol Max. Unit Forward Voltage at I F = 100 mA V F 1.2 V Reverse Current at V R = 80 V I R 0.1 μA Capacitance between Terminals at V R = 0.5 V, f = 1 MHz C T 3 pF Reverse Recovery Time at V R = 6 V, I F = 10 mA, R L = 100 ? t rr 4 ns Anode 2 Top View Marking C
  • 制造商:Taiwan Semiconductor
  • 产品种类:发光二极管(通用、电源、转换)
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    产品型号厂 家封 装批 号数 量价 格供应商 CLC001AJENS SOP8 10+ 9885 16.00元深圳市正鑫电子有限公司1SS355长电 SOD-323 12+ 180000 0.05元深圳华尔顿科技有限公司1SS355雷电 SOD-323 12+ 360000 0.04元深圳华尔顿科技有限公司RB161VA-20TRROHM 1000 0.40元杰恩汇源电子(深圳)有限公司1SS355华尔顿 SOD-323 12+ 360000 0.04元深圳华尔顿科技有限公司JTX-2-10T+MINI SOP-6 11+ 1000 50....
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