其它信息：
单电源操作时电压下降至1.8V；低功率CMOS工艺：典型动态工作电流：1mA，典型待机电流：1μA（－40～＋85℃）；1个128字节（1×128×8）块组成；2线串行接口总线，I2CTM兼容；施密特触发器抑制噪声；输出斜率控制以避免地弹；兼容100kHz；自定时写周期（包括自动擦除）；页写入缓冲区达到8个字节；典型页写入周期：2ms；对所有的硬件写保护存储器；可以作为1个串行的ROM工作；可用的工厂模式编程（QTP）；ESD静电保护＞4000V；1000000次的擦/写操作；数据保留＞200年；标准和无铅的覆盖；可用温度范围：－40～＋85℃；VCC范围：1.8~5.5V；最大时钟频率：400kHz；引脚镀层：Sn（纯锡）
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