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24C16B-E/SN

更新时间:2025-04-25 18:14:35
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  • 其它信息：

    单电源操作电压：4.5～5.5V；低功率CMOS工艺：典型有源电流1mA，典型待机电流10μA（5.5V时）；4个（4×256×8）或8个（8×256×8）256字节块组成；2线串行接口总线，I2CTM兼容；施密特触发器抑制噪声；输出斜率控制以避免接地反弹； 兼容100kHz；自定时擦/写周期；页写入缓冲区16字节；典型页写入时间周期：2ms；对所有的存储器硬件写保护，可以作为一个串行的ROM；ESD保护＞4000V；1000000次的擦/写操作；数据保留＞200年；8引脚或14引脚的SOIC封装；可用温度范围：－40～＋125℃

  • 引脚图：

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