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2DB1132R-13

更新时间:2025-05-21 15:04:25
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2DB1132R-13 规格参数
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    32V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    500mV @ 50mA，500mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    180 @ 100mA，3V
  • 功率 - 最大
    1W
  • 频率 - 转换
    190MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-243AA
  • 供应商设备封装
    SOT-89-3
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    2DB1132RDITR
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