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2N6055

更新时间:2024-03-29 04:49:49
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    8.0A/60V

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  • 大小:132.6KB
  • 厂家:ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
  • 描述:Silicon NPN Power Transistors
  • 制造商:Central Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Darlington
  • 配置:Single
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
  • 集电极—基极电压 VCBO:60 V
  • 最大直流电集电极电流:8 A
  • 功率耗散:100 W
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-3
  • 封装:Sleeve
  • 集电极连续电流:0.45 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:750 at 4 A at 3 V, 100 at 8 A at 3 V
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 工厂包装数量:20
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