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2N7002BKS

更新时间:2025-05-16 22:38:03

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诚信经营...品质保证..价格优势...可提供一站式配套

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NXP
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2N7002BKS 概述

2N7002BKS是安森美半导体生产的一款N沟道增强型MOSFET。它采用SOT-323封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高速开关应用。该器件的最大漏源电压为60V，最大漏极电流为350mA，栅极阈值电压范围在1V至2.5V之间，非常适合用于电池供电设备、负载开关以及DC - DC转换器等电路中。在实际应用时，需注意其最大功耗限制，在PCB布局上尽量减小引线长度以降低寄生电感影响。例如在简单的负载开关电路中，可直接将该MOSFET串联于电源与负载之间，通过控制栅极电压来实现负载的开启与关闭。

2N7002BKS 规格参数

晶体管极性:
?频道
电流, Id 连续:
300mA
电压, Vds 最大:
60V
在电阻RDS（上）:
1ohm
电压 @ Rds测量:
10V
阈值电压, Vgs th 典型值:
1.6V
功耗, Pd:
295mW
工作温度范围:
-55°C 到 +150°C
封装类型:
SOT-363
针脚数:
6
SVHC(高度关注物质):
No SVHC (18-Jun-2012)
功耗:
295mW
模块配置:
双N通道
漏源电压 Vds, N沟道:
60V
连续漏极电流 Id, N沟道:
300mA
通态电阻 Rds(on), N沟道:
1.3ohm

芯知识

1.7万

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广东微尔科技有限公司

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