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2SA2016-TD-E

更新时间:2025-07-11 20:49:08
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2SA2016-TD-E外观图

2SA2016-TD-E

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS PNP BIPO 7A 50V SOT89-3

  • 封装:TO-243AA
2SA2016-TD-E 规格参数
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    7A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    400mV @ 40mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    200 @ 500mA，2V
  • 功率 - 最大
    3.5W
  • 频率 - 转换
    330MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-243AA
  • 供应商设备封装
    PCP
  • 包装
    带卷 (TR)
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