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2SC3356

更新时间:2024-04-16 18:58:03
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  • 描述：DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC3356 MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DATA SHEET Document No. P10356EJ5V1DS00 (5th edition) Date Published March 1997 N Printed in Japan 1985 ? DESCRIPTION The 2SC3356 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has dynamic range and good current characteristic. FEATURES ? Low Noise and High Gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz ? High Power Gain MAG = 13 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1.0 GHz ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) Collector to Base Voltage VCBO 20 V Collector to Emitter Voltage VCEO 12 V Emitter to Base Voltage VEBO 3.0 V Collector Current IC 100 mA Total Power Dissipation PT 200 mW Junction Temperature Tj 150 C Storage Temperature Tstg 65 to +150 C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT TEST CONDITIONS Collector Cutoff Current ICBO 1.0 A
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