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2SC3646T-TD-E

更新时间:2025-05-16 18:57:48
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2SC3646T-TD-E外观图

2SC3646T-TD-E

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS NPN BIPO 1A 100V SOT89-3

  • 封装:TO-243AA
2SC3646T-TD-E 规格参数
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    400mV @ 40mA，400mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    100 @ 100mA，5V
  • 功率 - 最大
    500mW
  • 频率 - 转换
    120MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-243AA
  • 供应商设备封装
    PCP
  • 包装
    带卷 (TR)
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