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描述：UTC 2SC5200 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD 1 QW-R214-005,A POWER AMPLIFIER APPLICATIONS FEATURES * Recommended for 100W High Fidelity Audio Frequency Amplifier Output Stage. * Complementary to UTC 2SA1943 TO-3PL *Pb-free plating product number: 2SC5200L ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 ℃) PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT Collector-Base Voltage V CBO 230 V Collector-Emitter Voltage V CEO 230 V Emitter-Base Voltage V EBO 5 V Collector Current I C 15 A Base Current I B 1.5 A Collector Power Dissipation (Tc=25 ℃) P C 150 W Junction Temperature T J 150 ℃ Storage Temperature Range Tstg -55 ~ 150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25 ℃) PARAMETER SYMBOLTEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT Collector-Emitter Breakdown Voltage V (BR) CEO I C = 50mA, I B =0 230 V Collector-Emitter Saturation Voltage V CE (sat) I C = 8A , I B = 0.8A 0.40 3.0 V Base -Emitter Voltage V BE V CE = 5V, I C = 7A 1.0 1.5 V Coll
其它有关文件：2SC5200 View All Specifications
标准包装：25
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：15A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：230V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大）：-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：55 @ 1A，5V
功率 - 最大：150W
频率 - 转换：30MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装：TO-264
包装：管件
其它名称：497-10863-5

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