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2SC5859

更新时间:2024-04-07 00:35:27
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  • 其它信息:

    电流参数:IC=23A/ICP=46A/IB=11.5A
    电压参数:UCBO=1700V/UCEO=750V/UEBO=5V
    功    率:PC=210W
    其他参数:fT=2MHz
    极    性:NPN

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  • 大小:200.01KB
  • 厂家:TOSHIBA [ Toshiba Semiconductor ]
  • 描述:TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
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  • 2SC58630QL[技术参数]数据列表:2SC58630QL View all Specifications 标准包装:3,000 类别:分离式半导体产品 家庭:晶体管(BJT) - 单路2SC5865[技术参数]安装类型:表面贴装 宽度:1.6mm 封装类型:TSMT 尺寸:0.85 x 2.9 x 1.6mm 引脚数目:3 晶体管类型:NPN 最大功率耗散:500 mW2SC5866[技术参数]安装类型:表面贴装 宽度:1.6mm 封装类型:TSMT 尺寸:0.85 x 2.9 x 1.6mm 引脚数目:3 晶体管类型:NPN 最大功率耗散:500 mW2SC5866TLQ[技术参数]标准包装:3,000 类别:分离式半导体产品 家庭:晶体管(BJT) - 单路 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A2SC5866TLR[技术参数]标准包装:3,000 类别:分离式半导体产品 家庭:晶体管(BJT) - 单路 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A2SC586300L 2SC5867 2SC5868 2SC5868TLR 2SC587 2SC5876 2SC5876T106Q 2SC587A 2SC588 2SC5880TV2 2SC5881 2SC5885 2SC5886 2SC5886A 2SC5886-T6L1S 2SC5888 2SC5888-RB11

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