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2SC6026MFV-GR(TPL3

更新时间:2025-05-18 20:58:50
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2SC6026MFV-GR(TPL3 规格参数
  • 制造商
    Toshiba
  • 产品种类
    Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性
    NPN
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
    5 V
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
    200
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    CST
  • 封装
    Reel
  • 集电极连续电流
    150 mA
  • 功率耗散
    150 mW
  • 工厂包装数量
    8000
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