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2SD2012(F,M)

更新时间:2025-04-08 04:18:43
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2SD2012(F,M)外观图

  • 标准包装：500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 200mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 500mA，5V
  • 功率 - 最大：2W
  • 频率 - 转换：3MHz
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装：TO-220NIS
  • 包装：散装
芯知识
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广东微尔科技有限公司
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