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2SD21770SA

更新时间:2025-05-16 19:53:51
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2SD21770SA 规格参数
  • 数据列表
    2SD2177 View all Specifications
  • 标准包装
    2,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    300mV @ 50mA，1A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    170 @ 200mA，2V
  • 功率 - 最大
    1W
  • 频率 - 转换
    110MHz
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    3-SIP
  • 供应商设备封装
    MT-2-A1
  • 包装
    带盒（TB）
  • 其它名称
    2SD2177-S(TA)2SD21770SATB2SD2177STA2SD2177STB2SD2177STB-ND
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