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2SD25980RA

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2SD25980RA外观图

  • 数据列表:2SD25980RA View all Specifications
  • 标准包装:2,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):2.5V @ 500µA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):8000 @ 500mA,10V
  • 功率 - 最大:1W
  • 频率 - 转换:200MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:3-SIP
  • 供应商设备封装:MT-2-A1
  • 包装:带盒(TB)
  • 其它名称:2SD25980RATB
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