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2SJ621-T1B-AT

更新时间:2025-05-18 17:18:17
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2SJ621-T1B-AT 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    最后售卖
  • FET 类型
    P 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    3.5A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    -
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    44 毫欧 @ 2A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    6.2 nC @ 4 V
  • Vgs（最大值）
    -
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    630 pF @ 10 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    -
  • 工作温度
    -
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    SC-96-3，薄型迷你型塑模
  • 封装/外壳
    SC-96
芯知识
2.9万
视频广告HGLS1系列模块电源作为光伏电站的”心脏起搏器”，就相当于光伏储能汇流箱监测系统中的“充电宝”！
广东微尔科技有限公司
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