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2SK536-TB-E

更新时间:2025-07-04 11:28:49
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2SK536-TB-E 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    100mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    20 欧姆 @ 10mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    -
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    -
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    15pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    200mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    3-CP
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    869-1110-6
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