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2N4208

更新时间:2025-04-24 00:52:33
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2N4208 相关资料

  • 其它信息：

    0.05A/12V

2N4208的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 制造商：Central Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：12 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：- 4.5 V
  • 最大直流电集电极电流：0.2 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：15 at 1 mA at 0.5 V
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：700 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-18
  • 封装：Box
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：500 mW
  • 工厂包装数量：2000
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