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2SD11190RL

更新时间:2025-06-20 23:06:33
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2SD11190RL 规格参数
  • 数据列表
    2SD11190RL View all Specifications
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    25V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    1V @ 100mA，3A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    340 @ 500mA，2V
  • 功率 - 最大
    1W
  • 频率 - 转换
    150MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-243AA
  • 供应商设备封装
    迷你型P3-F1
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    2SD11192SD1119-ND2SD11190RL-ND2SD11190RLTRQ1056553Q1110451
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