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3DK4B

更新时间:2024-09-25 13:38:46
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3DK4B 相关信息
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    ...Cl选用耐压值为160V的铝电解电容器;C2选用耐压值为250V的CBB电容器;C3选用耐压值为63V的独石电容器或涤纶电容器。VDl和VD2均选用1N4007型硅整流二极管。UR选用3A、400V的整流桥堆。Vl和V2均选用3DK4B型硅开关晶体管;V3选用DB3或2CTS型双向触发二极管。VT选用3A、400V的晶闸管。Tl用16m x2Omm的E型硅钢片制作:一次绕组用φO.llmm的漆包线绕2200匝;二次绕组用φO.28mm的漆包线绕520匝(使二...
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    ...用耐压值为160V的铝电解电容器;C2选用耐压值为250V的CBB电容器;C3选用耐压值为63V的独石电容器或涤纶电容器。 VD1和VD2均选用1N4007型硅整流二极管。 UR选用1A、400V的整流桥堆。 V1和V2均选用3DK4B型硅开关晶体管;V3选用DB3或2CTS型双向触发二极管。 VT选用3A、400V的晶问管。 T1用16 mm×20mm的E型硅钢片制作:一次绕组用Φ0.11mn的漆包线绕2200匝;二次绕组用Φ0.28mm的漆包线绕5...
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