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低功率CMOS工艺;ORG引脚可选择存储器结构;1024×8位结构‘A’装置(无ORG);512×16位结构‘B’装置(无ORG);程序允许引脚写保护对所有阵列;自定时擦/写周期;在执行指令WRAL(全部写入)之前自动执行ERAL(全部擦除)指令;电源开/关数据保护电路;符合工业标准的3线串行I/O;设备状态信号(Ready/Busy);有序的读出功能;保证1000000次的擦/写操作; 数据保留>200年;无铅和遵从RoHS标准; 可用温度范围:-40~+85℃/-40~+125℃;VCC范围:4.5~5.5V;ORG引脚:有;PE引脚:有;字大小:8或16位;温度范围:-40~+85℃
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