其它信息：

单电源编制程序操作电压降至2.0V（0～70℃）；低功率CMOS工艺：典型有源电流：1mA，典型待机电流：5μA（电压3.0V）；ORG引脚可选择存储器结构：128×8或64×16位结构；自定时擦/写周期；在执行指令WRAL（全部写入）之前自动执行ERAL（全部擦除）指令；电源开/关数据保护电路；符合工业标准的3线串行I/O；擦/写操作时有设备状态信号；有序的读出功能；保证1000000次的擦/写操作；数据保留＞200年；可用温度范围：0～＋70℃/－40～＋85℃
引脚图：

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