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AOD5N50

更新时间:2025-05-16 14:17:31

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AOD5N50 概述

AOD5N50是由Alpha & Omega Semiconductor公司生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的功率MOS工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压（Vds）为500V，适合在高电压应用中使用。典型应用场景包括开关电源、适配器、照明系统中的LED驱动器以及工业控制设备等。在电路设计中，建议注意栅极驱动电压的选择，确保达到最佳的导通电阻和开关速度。由于其较高的耐压能力，在高压应用中需特别关注PCB布局，以减少寄生电感和电容的影响，避免过冲和振铃现象。此外，散热设计也非常重要，推荐使用适当的散热器或散热片来改善热性能，从而保证器件长期稳定工作。

AOD5N50 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.6 欧姆 @ 2.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
14nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
670pF @ 25V
功率 - 最大
104W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252
包装
带卷 (TR)

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