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AOI4T60P

更新时间:2024-03-28 22:41:34
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  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.1 欧姆 @ 2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):15 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):522 pF @ 100 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):83W(Tc)
  • 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-251A
  • 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak
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