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AON5820

更新时间:2025-07-03 17:21:36

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封装/批号
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询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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AON5820 概述

5820是由Alpha and Omega Semiconductor公司生产的N沟道MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效功率转换应用。其最大漏源电压为30V，适合在低压高频电路中使用。典型应用场景包括DC-DC转换器、电源管理模块以及电机驱动电路。在笔记本电脑、平板电脑等便携式设备中，AON5820可用于优化电池供电系统的效率。此外，在LED照明驱动和无线充电发射端电路中也有广泛应用。使用时需注意栅极驱动电压的选择，确保达到最佳导通性能。设计PCB布局时应尽量减小源极电感，以降低开关损耗。建议在栅极串联小电阻来抑制振荡，并在源极和栅极之间并联适当的RC网络以提高稳定性。

AON5820 规格参数

标准包装
5,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
2 N 沟道（双）共漏
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
10A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9.5 毫欧 @ 10A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1510pF @ 10V
功率 - 最大
1.7W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-WFDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
6-DFN-EP（2x5）
包装
带卷 (TR)

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