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BC856BDW1T1G

更新时间:2024-04-20 00:24:22
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BC856BDW1T1G外观图

  • 大小：173KB
  • 厂家：ON Semiconductor
  • 描述： TRANSISTOR, PNP, DUAL, -65V SOT-363; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:65V; Transition Frequency Typ ft:100MHz; Power Dissipation Pd:380mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:290 ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 PNP（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：65V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：220 @ 2mA，5V
  • 功率 - 最大：380mW
  • 频率 - 转换：100MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装：SOT-363
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：BC856BDW1T1G-NDBC856BDW1T1GOSTR
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