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              BD911
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BD911

更新时间:2024-09-23 15:38:32
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  • 大小：248.07KB
  • 厂家：TD
  • 描述：Dated : 17/09/2016 Rev: 01 TOP DYNAMIC BD909 / BD911 NPN Complementary Silicon Power Transistors Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit BD909 BD911 Collector Base Voltage V CBO 80 100 V Collector Emitter Voltage V CEO 80 100 V Emitter Base Voltage V EBO 5 V Collector Current I C 15 A Base Currentt I B 5 A Total Power Dissipation @ T C ≤ 25 O C P tot 90 W Operating Junction Temperature Range T J 150 O C Storage Junction Temperature Range T J , T s -65 to +150 O C Thermal Resistance, Junction to Case R θJC 1.4 O C/W TO-220 Plastic Package
  • 其它有关文件：BD911 View All Specifications
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：15A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：3V @ 2.5A，10A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：1mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：15 @ 5A，4V
  • 功率 - 最大：90W
  • 频率 - 转换：3MHz
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 其它名称：497-6659-5BD911-ND
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